igbt模塊的參數(shù)介紹

2022-05-20

(1)關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）。這種殘余電流值（尾流）的降低，完全取決于關(guān)斷時(shí)電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)洌瑢哟魏穸群蜏囟取Ｉ僮拥乃p使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導(dǎo)通問題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低...

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雙向可控硅模塊的觸發(fā)方式

2022-05-19

雙向可控硅是由N-P-N-P-N5層半導(dǎo)體材料制作而成的，對外部也導(dǎo)出3個(gè)電極，其構(gòu)造如下圖所示。雙向可控硅等同于2個(gè)單向可控硅的反方向并接，但只有一個(gè)控制極。雙向可控硅正反2個(gè)方向都能導(dǎo)通，門極加正負(fù)信號都能觸發(fā)，所以有4種觸發(fā)形式。（1）I+觸發(fā)形式陽極電壓為第1陽極T1為正，第2陽極T2為負(fù)；門極電壓G為正，T2為負(fù)，特性曲線在第一象限，為正觸發(fā)。（2）I-觸發(fā)形式陽極電壓為第1陽極T1為正，第2陽極T2為負(fù)；門極電壓G為負(fù)，T2為正，特性曲線在第一象限，為負(fù)觸發(fā)。（3）Ⅲ+觸發(fā)形式陽極電壓為第1陽極T1為負(fù)，第2陽極T2為正；門極電壓G為正，T2為負(fù)，特性曲線在第三象限，為...

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IGBT使用時(shí)出現(xiàn)的幾類短路故障

2022-05-18

工業(yè)生產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整體行業(yè)發(fā)展趨勢是對更高效率及可靠性和穩(wěn)定性的標(biāo)準(zhǔn)頻頻提升。關(guān)于增多絕緣柵極雙極性晶體管（igbt模塊）導(dǎo)通耗損的一些衡量抉擇是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，及更低的熱容量和短路耐受時(shí)長。這突顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路及過電流檢測和保護(hù)作用的必要性。下列內(nèi)容講述了如今工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中順利可靠地完成短路保護(hù)的狀況，并且出示三相電機(jī)控制應(yīng)用中隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的試驗(yàn)性示例。工業(yè)生產(chǎn)環(huán)境中的短路故障哪幾個(gè)？工業(yè)生產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的作業(yè)環(huán)境比較惡劣，也許出現(xiàn)高溫、交流電路瞬變、機(jī)械過載、接線有誤及其余突發(fā)狀況。當(dāng)中一些事件很有可能會(huì)造成過大的過流進(jìn)入電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率電路中。圖1展示了3種常見的短路故障事件。...

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可控硅調(diào)速線路運(yùn)行原理詳解

2022-05-17

可控硅調(diào)速器線路如下圖9-13所顯示，是普遍使用于小型直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速的控制線路。調(diào)速器線路通常由電壓給定環(huán)節(jié)、觸發(fā)脈沖環(huán)節(jié)、電壓和電流反饋環(huán)節(jié)及主回路和勵(lì)磁部分構(gòu)成。線路中選用了電流正反饋和電壓負(fù)反饋環(huán)節(jié)來替代測速發(fā)電機(jī)進(jìn)行電樞電壓無級調(diào)速。 其運(yùn)行原理如下所示（1）主線路【圖9-13（a）部分】主線路為單相半控橋式全波整流電路，220V交流電源經(jīng)整流后，變成直流電動(dòng)機(jī)調(diào)壓調(diào)速電源。為防止可控硅在接通和斷開過程中產(chǎn)生過電壓，在可控硅V16和V17兩邊各自并連著由電阻R18和電容C8、R19和C9串連組成的阻容保護(hù)設(shè)備；因?yàn)橹骶€路中串連電抗器L，使主電路負(fù)載電流連續(xù)，并減少了電流脈動(dòng)；為確保可控硅可靠換...

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igbt模塊的原理

2022-05-16

N溝型的igbt模塊運(yùn)行是經(jīng)過柵極－發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的（正）電壓，在柵極電極正下方的p層上形成反型層（溝道），開始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極運(yùn)行），因此可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。運(yùn)行時(shí)的等效線路如下圖1（b）所顯示，igbt模塊的符號如下圖1（c）所顯示。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管運(yùn)行，又成為p+n－pn+晶閘管模塊。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停止供應(yīng)電流。經(jīng)過輸出信號已無法進(jìn)行控制。通常將這類狀態(tài)稱之為閉鎖狀態(tài)。為了能抑制n+pn-寄...

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